AOW2500技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下高性能功率器件系列的重要成员，AOW2500是一款采用先进平面MOSFET技术打造的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）设计，通过优化的单元结构和制造工艺，在150V的漏源电压（Vdss）额定值下实现了优异的电气性能平衡。该器件采用坚固的TO-262通孔封装，确保了在严苛工作环境下的机械可靠性和高效的散热能力，其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，适用于高环境温度的应用。

在电气特性方面，AOW2500的突出优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)）。在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）的测试条件下，其最大导通电阻仅为6.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在136nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关应用至关重要。该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。用户可通过AOS总代理获取完整的技术支持和供应链服务。

该芯片的功率处理能力显著，在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达152A，最大功率耗散可达375W；即使在环境温度（Ta）下，其额定电流也达到11.5A，功率耗散为2.1W，展现了强大的电流承载与散热潜力。其驱动电压范围（最大RdsOn对应6V，最小RdsOn对应10V）为设计者提供了在导通损耗与驱动简易性之间的优化选择空间。这些参数共同塑造了AOW2500高效、可靠且易于驱动的产品形象。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，AOW2500非常适合于要求严苛的功率转换与管理场景。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路、不间断电源（UPS）以及各类DC-DC转换器。其稳健的性能使其成为提升系统能效和功率密度的理想选择，尤其在对散热和效率有高要求的工业和通信基础设施领域。

• 型号:AOW2500
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta），152A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6460 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），375W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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