AOW2500技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下高性能功率器件系列的重要成员，AOW2500是一款采用先进平面MOSFET技术打造的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）设计，通过优化的单元结构和制造工艺，在150V的漏源电压（Vdss）额定值下实现了优异的电气性能平衡。该器件采用坚固的TO-262通孔封装，确保了在严苛工作环境下的机械可靠性和高效的散热能力，其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，适用于高环境温度的应用。

在电气特性方面，AOW2500的突出优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)）。在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）的测试条件下，其最大导通电阻仅为6.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在136nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关应用至关重要。该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。用户可通过AOS总代理获取完整的技术支持和供应链服务。

该芯片的功率处理能力显著，在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达152A，最大功率耗散可达375W；即使在环境温度（Ta）下，其额定电流也达到11.5A，功率耗散为2.1W，展现了强大的电流承载与散热潜力。其驱动电压范围（最大RdsOn对应6V，最小RdsOn对应10V）为设计者提供了在导通损耗与驱动简易性之间的优化选择空间。这些参数共同塑造了AOW2500高效、可靠且易于驱动的产品形象。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，AOW2500非常适合于要求严苛的功率转换与管理场景。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路、不间断电源（UPS）以及各类DC-DC转换器。其稳健的性能使其成为提升系统能效和功率密度的理想选择，尤其在对散热和效率有高要求的工业和通信基础设施领域。

• 制造商产品型号：AOW2500
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：150V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Ta），152A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：136nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6460pF @ 75V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），375W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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