AOT14N50FD技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220
技术参数：MOSFET N-CH 500V 14A TO220
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AOT14N50FD技术参数详情说明：

AOT14N50FD 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型硅基技术制造，封装于标准的 TO-220 通孔封装中。其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡，内部采用优化的单元结构，通过精密的制造工艺控制沟道尺寸与掺杂浓度，从而在保证 500V 高阻断电压的同时，有效降低了导通电阻。这种架构使得器件在开关过程中能够承受较高的电压应力，同时维持较低的静态功耗，为功率转换系统的效率提升奠定了物理基础。

该器件在电气性能上表现出显著优势。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达 14A，展现了强大的电流处理能力。更关键的是，在 10V 栅极驱动电压、7A 漏极电流的典型工作点下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至 470 毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 47nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较小，有助于实现更高频率的开关操作并降低驱动损耗，提升系统整体能效。

在接口与参数方面，AOT14N50FD 定义了明确的工作边界。其漏源击穿电压（Vdss）为 500V，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量。栅源电压（Vgs）最大可承受 ±30V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4V，确保了良好的噪声抑制和易驱动性。器件的结温（Tj）工作范围宽广，从 -55°C 延伸至 150°C，配合 TO-220 封装良好的导热路径（最大功率耗散 278W @ Tc），使其能够适应苛刻的环境温度条件并实现有效的热管理。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方 AOS授权代理获取正品器件与技术支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，AOT14N50FD 非常适用于需要高效能、高可靠性的中高功率场合。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）的功率转换模块、电机驱动控制器中的逆变桥臂以及照明领域的电子镇流器或 LED 驱动电源。在这些场景中，它能够有效承担功率开关的核心角色，助力系统实现更高的功率密度和更优的能源转换效率。