AOT15S60L技术参数

AOT15S60L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为开关电源的初级侧或电机驱动的桥臂提供了充足的电压裕量，确保系统在电网波动或感性负载关断产生电压尖峰时的可靠运行。

在电气特性方面，该器件在结温（Tc）条件下可支持高达15A的连续漏极电流，其关键参数表现出色。在10V栅极驱动电压、7.5A测试电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至290毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为15.6nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动功率较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关过程中的损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，也提供了较强的抗干扰能力。

该MOSFET的静态与动态参数组合，使其非常适用于需要高效率和高可靠性的中功率场合。其典型应用领域包括开关模式电源（SMPS）的PFC电路和主功率开关、电机驱动与逆变器（如变频器、UPS）、以及照明镇流器和电子焊机等工业设备。器件采用TO-220封装，具有良好的散热能力，其最大功率耗散可达208W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，能够适应严苛的环境要求。对于需要获取详细技术资料或进行批量采购的设计者，可以通过官方授权的AOS中国代理渠道进行咨询。

• 制造商产品型号：AOT15S60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 15A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：372pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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