AOK9N90技术参数

AOK9N90是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于工业标准的TO-247封装内，为高压、高功率应用提供了可靠的半导体解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡，从而在900V的高压环境下仍能保持高效的电能转换与控制能力。

该器件具备多项突出的功能特性。其900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，系统设计余量充足。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.3欧姆（@4.5A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在58nC（@10V），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数上，AOK9N90在壳温（Tc）条件下可支持高达9A的连续漏极电流，最大功率耗散能力达到368W，展现了强大的电流处理与散热潜力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全范围。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其高压、低损耗及高可靠性的特点，AOK9N90非常适用于需要高压开关和功率控制的领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、UPS不同断电源系统、电机驱动与变频器中的逆变桥臂，以及电焊机、等离子切割机等专业设备。其TO-247封装形式也便于在功率板上进行通孔安装，并利用散热器实现高效的热管理。

• 制造商产品型号：AOK9N90
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 900V 9A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：900V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：58nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2560pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：368W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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