AOT16N50技术参数

AOT16N50是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-220通孔封装中。该器件基于优化的单元设计和先进的工艺平台，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心架构确保了在高压开关应用中的可靠性与效率。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充裕的电压裕量，适用于市电整流后或类似的高压母线环境。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和8A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至370毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为51nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率潜力，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数上，AOT16N50的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时额定为16A，展现了强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其最大结温（Tj）可达150°C，并在壳温条件下拥有高达278W的功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的稳定工作。用户可通过AOS总代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，AOT16N50非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动控制器、工业电源、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等。其TO-220封装形式便于安装散热器，满足中高功率密度应用的热管理需求。

• 型号:AOT16N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:370 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2297 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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