AOT262L技术参数

AOT262L 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。该器件采用经典的TO-220封装，为通孔安装提供了坚固可靠的物理基础。其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的卓越平衡，通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而提升了整体能效。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss），为其在多种开关电源和电机控制应用中提供了充足的电压裕量。其导通电阻特性尤为突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，Rds(on)最大值仅为3毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗和发热，对于提升系统效率至关重要。同时，器件在25°C环境温度（Ta）下可连续通过20A电流，而在借助散热器将管壳温度（Tc）控制在合理范围内时，其连续电流能力可高达140A，展现了强大的峰值功率处理潜力。

在动态特性方面，AOT262L 的栅极电荷（Qg）最大值为115nC @ 10V，结合其输入电容（Ciss）特性，共同决定了开关速度与驱动电路的设计要求。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.2V，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

凭借其高电流容量、低导通电阻和TO-220封装带来的优异散热性能，该器件非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理模块中，作为主开关或同步整流元件。无论是在工业自动化设备、通信电源，还是电动工具和汽车电子辅助系统中，它都能提供高效、可靠的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOT262L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：115nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9800pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT262L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。