AONS36308技术参数

AONS36308 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，在 8-DFN-EP（5x6）的紧凑封装内实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡。这种设计有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了整体能效，同时其增强型散热片（Exposed Pad）封装为高功率密度应用提供了卓越的热管理能力，确保器件在宽温范围内稳定工作。

该器件在 30V 的漏源电压（Vdss）额定值下，展现出优异的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）高达 53A。其关键特性在于极低的导通电阻，在 10V 驱动电压（Vgs）、20A 电流条件下，Rds(On) 最大值仅为 6.1 毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。此外，其栅极驱动特性同样出色，最大栅极电荷（Qg）仅为 30nC @ 10V，阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.2V，这使得它能够被标准逻辑电平或低电压驱动器高效、快速地驱动，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。

在接口与电气参数方面，AONS36308 兼容工业标准的表面贴装工艺，其驱动电压范围（最大 RdsOn）为 4.5V 至 10V，最大栅源电压（Vgs）为 ±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在 15V 条件下最大为 1000pF，结合低栅极电荷，共同确保了快速的开关瞬态响应。器件的功率耗散能力在壳温（Tc）下可达 26W，工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，鲁棒性高。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方 AOS授权代理 获取完整的技术资料、样品及采购支持。

凭借其高电流能力、低导通损耗和快速开关性能，AONS36308 非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC 转换器中的负载开关、电机驱动控制以及各类便携式设备或分布式电源系统中的电源管理单元。其出色的热性能和电气参数使其成为在紧凑空间内实现高功率密度和高可靠性设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AONS36308
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 26A/53A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Ta），53A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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