AOT286L技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220
技术参数：MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO220
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AOT286L技术参数详情说明：

AOT286L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于工业标准的TO-220通孔封装中。该器件构建在优化的硅基工艺之上，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其核心设计聚焦于提升功率转换效率和热管理性能，以满足中高功率密度应用的需求。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕度，适用于常见的48V及以下总线系统。其导通电阻（Rds(on)）表现出色，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为6毫欧，这意味着在导通状态下能显著降低传导损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在63nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电流处理能力方面，AOT286L在壳温（Tc）条件下可支持高达70A的连续漏极电流，而在环境温度（Ta）下为13A，展现了强大的峰值电流承载能力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽泛且安全的驱动电压范围。器件采用TO-220封装，具有良好的机械强度和通孔安装的可靠性，其最大结温（TJ）高达175°C，结合167W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取产品与相关服务。

凭借其高电压、低导通电阻、优异的开关性能以及宽工作温度范围，这款MOSFET非常适合应用于开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器、电池保护电路以及各类工业电源管理模块中。它能够有效提升系统的功率密度和可靠性，是工程师在设计中追求高效率和高鲁棒性的优选功率开关器件。