AOT29S50L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS产品系列的一员，AOT29S50L是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心架构基于先进的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，旨在实现高压环境下的高效功率开关与控制。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在保证高耐压能力的同时，有效降低开关损耗和传导损耗，提升系统整体能效。

该器件具备出色的电气特性，其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够稳定工作在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压场合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达29A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14.5A电流条件下典型值仅为150毫欧，这一低导通阻抗特性对于减少功率耗散、提升效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V，确保了与常见驱动电路的兼容性，而最大栅极电荷（Qg）控制在26.6nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，AOT29S50L支持高达±30V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为1312pF，这是评估开关速度与驱动需求的关键参数之一。器件在壳温条件下的最大功率耗散能力为357W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C），赋予了其卓越的可靠性与热稳定性，能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，该MOSFET非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与控制器、以及各类需要高效功率转换的能源系统。其TO-220封装形式便于安装散热器，进一步优化了高功率应用下的热管理方案。

• 型号:AOT29S50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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