AOT29S50L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS产品系列的一员，AOT29S50L是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心架构基于先进的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，旨在实现高压环境下的高效功率开关与控制。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在保证高耐压能力的同时，有效降低开关损耗和传导损耗，提升系统整体能效。

该器件具备出色的电气特性，其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够稳定工作在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压场合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达29A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14.5A电流条件下典型值仅为150毫欧，这一低导通阻抗特性对于减少功率耗散、提升效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V，确保了与常见驱动电路的兼容性，而最大栅极电荷（Qg）控制在26.6nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，AOT29S50L支持高达±30V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为1312pF，这是评估开关速度与驱动需求的关键参数之一。器件在壳温条件下的最大功率耗散能力为357W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C），赋予了其卓越的可靠性与热稳定性，能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，该MOSFET非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与控制器、以及各类需要高效功率转换的能源系统。其TO-220封装形式便于安装散热器，进一步优化了高功率应用下的热管理方案。

• 制造商产品型号：AOT29S50L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 29A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1312pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT29S50L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。