AON6586技术参数

AON6586是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，其核心设计旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的开关性能平衡。在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为7.5毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs下为30nC，结合1150pF的输入电容（Ciss），表明其具有快速的开关切换能力，有助于降低开关应用中的动态损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度和良好的噪声免疫力。在热性能方面，器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）高达35A，最大功耗为41W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取相关服务。

在接口与参数层面，AON6586标称的25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流为20A，其驱动电压范围覆盖4.5V至10V，优化了其在逻辑电平或标准栅极驱动下的性能表现。其低导通电阻和低栅极电荷的组合，使其特别适用于对效率和功率密度有高要求的同步整流、DC-DC转换器中的开关管以及电机驱动中的功率开关等场景。紧凑的DFN封装也使其非常适合空间受限的现代消费电子、通信设备和工业电源模块应用。

• 型号:AON6586
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/35A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6586现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。