AON6586技术参数

AON6586是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，其核心设计旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的开关性能平衡。在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为7.5毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs下为30nC，结合1150pF的输入电容（Ciss），表明其具有快速的开关切换能力，有助于降低开关应用中的动态损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度和良好的噪声免疫力。在热性能方面，器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）高达35A，最大功耗为41W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取相关服务。

在接口与参数层面，AON6586标称的25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流为20A，其驱动电压范围覆盖4.5V至10V，优化了其在逻辑电平或标准栅极驱动下的性能表现。其低导通电阻和低栅极电荷的组合，使其特别适用于对效率和功率密度有高要求的同步整流、DC-DC转换器中的开关管以及电机驱动中的功率开关等场景。紧凑的DFN封装也使其非常适合空间受限的现代消费电子、通信设备和工业电源模块应用。

• 制造商产品型号：AON6586
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 20A/35A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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