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AOT380A60CL技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
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AOT380A60CL技术参数详情说明:

作为AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)aMOS5产品家族中的一员,AOT380A60CL是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计,旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该器件采用成熟的TO-220封装,提供了坚固的机械结构和出色的散热能力,其金属氧化物半导体技术确保了在严苛工作环境下的高可靠性。

该MOSFET在功能上表现出色,其600V的漏源击穿电压(Vdss)使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的高压应力。在25°C壳温条件下,其连续漏极电流(Id)额定值高达11A,展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其导通电阻,在10V栅极驱动电压、5.5A漏极电流条件下,其最大值仅为380毫欧,这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低,从而提升了整体系统的能效。此外,其栅极电荷(Qg)最大值控制在20nC(@10V),结合适中的输入电容,有助于实现快速的开关转换,减少开关损耗,这对于高频开关电源应用至关重要。

在电气接口与参数方面,AOT380A60CL的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.8V,具备良好的噪声抑制能力,而栅源电压(Vgs)最大可承受±20V,为驱动电路设计提供了充足的裕量。其工作结温范围宽广,从-55°C延伸至150°C,确保了其在极端温度环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS一级代理获取正品器件与技术支援。该器件的功率耗散能力在壳温条件下最大可达131W,配合TO-220封装,便于通过散热片进行高效的热管理。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,AOT380A60CL非常适合于要求高效率和高可靠性的应用场景。它常被用于开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器以及电机驱动和逆变器中的高压侧或低压侧开关。在工业控制、消费类电子电源适配器、LED照明驱动以及不间断电源(UPS)系统中,该器件都能提供稳定而高效的功率开关解决方案,帮助设计工程师优化系统性能与成本。

  • 制造商产品型号:AOT380A60CL
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:aMOS5
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):955pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):131W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOT380A60CL现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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