

AOT404技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 105V 40A TO220
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AOT404技术参数详情说明:
AOT404是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用经典的TO-220通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建,其核心设计旨在实现高电压下的高效功率切换与控制。其105V的漏源击穿电压(Vdss)为系统提供了宽裕的电压裕度,确保了在诸如48V总线等常见工业电压平台应用中的稳定性和可靠性,同时其40A的连续漏极电流(Id)能力使其能够处理可观的功率流。
该器件在电气性能上表现出色,其关键特性在于优异的导通电阻与栅极电荷的平衡。在10V栅极驱动电压(Vgs)下,导通电阻(Rds(on))典型值低至28毫欧@20A,这直接降低了器件在导通状态下的传导损耗,有助于提升系统整体效率并减少发热。同时,其栅极总电荷(Qg)最大值仅为46nC @ 10V,较低的栅极电荷意味着开关过程中所需的驱动能量更小,这不仅简化了驱动电路的设计,还能有效降低开关损耗,尤其是在高频开关应用中优势明显。其栅源电压(Vgs)耐受范围达±25V,提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。
在接口与热参数方面,AOT404采用标准的三引脚TO-220封装,便于安装和散热处理。其最大功耗为100W(基于壳温Tc),结合-55°C至175°C的宽结温(TJ)工作范围,使其能够适应苛刻的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态,但其稳健的性能参数使其在存量市场及对成本敏感的设计中仍具参考价值。对于需要获取此型号或寻求替代方案的工程师,可以通过官方授权的AOS代理渠道咨询库存或新一代产品信息。
综合其105V/40A的耐压耐流能力、低导通电阻与低栅极电荷的特性,AOT404非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括工业电源中的DC-DC转换器初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源(UPS)和逆变器中的功率开关单元。其TO-220封装形式也使其在需要强散热能力的通孔安装设计中成为可靠的选择。
- 制造商产品型号:AOT404
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 105V 40A TO220
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):105V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):40A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):46nC @ 10V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2445pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。













