AON3402技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON3402 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率转换效率。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物）技术，通过优化的单元设计和制造工艺，有效平衡了导通损耗与开关损耗，使其成为高效率、高密度电源设计的理想选择。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源电压（Vdss）为20V，能够满足多种低压应用场景的需求。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达12.6A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）表现优异，在4.5V栅极驱动电压和12A漏极电流条件下，最大值仅为13毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.9nC @ 4.5V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率并简化栅极驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，AON3402 采用表面贴装型的8-DFN封装（尺寸2.9mm x 2.3mm），具有极小的占板面积和良好的热性能，非常适合空间受限的应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V @ 250A，且驱动电压范围宽，兼容低至1.8V的逻辑电平驱动，为设计带来了灵活性。器件的最大允许栅源电压（Vgs）为±12V，提供了足够的裕量。其工作结温范围宽达-55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其高性能参数组合，该MOSFET广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括笔记本电脑和台式机的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换、服务器和通信设备的电源模块，以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制。其快速开关特性和低导通电阻也使其适用于电机驱动控制和LED照明驱动等领域的开关元件，是实现系统小型化与节能化的关键元器件。

• 制造商产品型号：AON3402
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12.6A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.9nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1810pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（2.9x2.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON3402现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。