AOT416L技术参数

AOT416L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其成熟的SDMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用经典的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和工艺制程，在TO-220-3通孔封装内实现了100V的漏源击穿电压（Vdss）和低至37毫欧（@10V Vgs）的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计目标是在保证高耐压可靠性的同时，显著降低传导损耗，提升功率转换效率。

在电气性能方面，该MOSFET展现出优异的开关特性与热性能平衡。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频应用下的效率。器件支持高达42A（Tc）的连续漏极电流，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，最大功率耗散能力为150W（Tc），这得益于TO-220封装良好的热传导路径。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了足够的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）设计确保了与常见逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性。

该器件提供了关键的接口与参数，以满足严苛的工业应用需求。其导通电阻在10V驱动电压和20A电流条件下测得最大值仅为37毫欧，有效降低了通态压降。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化栅极驱动电路设计。用户可通过AOS总代理获取完整的数据手册以进行精确的电路仿真与热设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟可靠的设计在诸多存量系统中仍被广泛使用。

基于其100V的耐压等级、适中的电流处理能力以及TO-220封装带来的便利散热特性，AOT416L非常适用于各类中功率的开关电源和电机驱动场景。典型应用包括AC-DC电源转换器中的初级侧开关、DC-DC转换器的同步整流或功率开关、以及电动工具、风扇控制器等领域的电机驱动和负载开关。其稳健的性能使其成为对成本与可靠性有双重考量的工业级和消费级电力电子应用的经典选择之一。

• 制造商产品型号：AOT416L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.92W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT416L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。