AOT430技术参数

AOT430是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡，内部架构通过优化的单元密度和先进的沟槽技术，有效降低了单位面积的导通电阻，从而在75V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达80A的连续漏极电流（Tc条件下）。这种稳健的架构确保了器件在高功率密度应用中能够高效、可靠地工作。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A电流条件下，其Rds(On)最大值仅为11.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在114nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更迅速。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达268W（Tc）的功率耗散能力，赋予了它出色的热性能和环境适应性，适合在苛刻条件下稳定运行。

在电气参数方面，AOT430的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了足够的驱动安全裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力和明确的导通/关断状态。这些参数共同定义了一个性能边界清晰、易于应用的功率开关。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过AOS授权代理获取正品器件与相关设计资源。

凭借其高电流、低导通电阻和坚固的TO-220封装，AOT430非常适用于对效率和功率密度有要求的各类中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关、电机驱动控制器、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。其通孔封装形式也便于在需要强散热和机械稳固性的工业级设备中进行安装与散热管理。

• 型号:AOT430
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:268W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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