AOT440技术参数

AOT440是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于其成熟的SDMOS产品系列。该器件采用经典的TO-220封装，提供通孔安装方式，具备坚固的物理结构和良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业与消费类应用环境。

该芯片的核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。其漏源击穿电压（Vdss）高达40V，为低压至中压应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，AOT440表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V、Id=20A的条件下典型值仅为4.7毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，结合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流微控制器和驱动电路轻松兼容，实现稳定可靠的开关控制。

在电流处理能力上，该器件提供了两种规格：在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为15.5A，而在管壳温度（Tc）25°C下则可承受高达105A的电流，这突显了其强大的脉冲电流承载能力和对散热条件的依赖性。其栅极电荷（Qg）最大值仅为90nC，输入电容（Ciss）最大值为5600pF，这些参数共同决定了其具有较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提升高频应用的性能。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛温度环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取相关技术支持和库存信息。

综合其电气参数与封装特性，AOT440非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源中的负载开关。其平衡的性能参数使其成为工程师在设计和优化中低压、大电流功率路径时的可靠选择之一。

• 型号:AOT440
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.5A/105A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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