AOT472技术参数

AOT472是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220封装，专为高效率功率开关应用而设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心优势在于实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的电流处理能力之间的平衡。在10V栅极驱动下，其最大导通电阻仅为8.9毫欧（@30A），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率，对于减少热设计和提升功率密度至关重要。

在电气性能方面，该器件具备75V的漏源击穿电压（Vdss），为其在常见24V或48V总线系统中提供了充足的安全裕量。其电流承载能力表现出色，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达140A，而在环境温度（Ta）下为10A，这使其能够胜任高浪涌电流或峰值功率场景。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在115nC（@10V），结合±20V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它能够被快速驱动并兼容多种栅极驱动电路，有助于降低开关损耗并简化驱动设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品与技术支援。

该MOSFET的静态与动态参数均经过优化，例如，其阈值电压Vgs(th)最大值为3.9V，提供了良好的噪声抑制能力，而输入电容（Ciss）最大值为4500pF，处于同类产品的合理范围。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）以及高达417W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的稳定性和可靠性。TO-220的通孔封装形式使其易于安装到散热器上，非常适合需要良好热管理的应用。

综合其技术规格，AOT472非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业自动化设备中的负载开关。其强大的电流处理能力和低导通电阻特性，使其成为中高功率密度设计中，追求效率与成本平衡的工程师的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOT472
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 75V 10A/140A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.9 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：115nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4500pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），417W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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