AOB29S50L技术参数

AOB29S50L是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司先进的aMOS产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET工艺，在TO-263（DPak）封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在优化高电压下的导通损耗与开关特性，通过精心的芯片布局和封装技术，确保了在高温工作条件下的稳定性和可靠性。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达29A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和14.5A漏极电流条件下，最大值仅为150毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在26.6nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，AOB29S50L采用标准的三引脚表面贴装（SMD）TO-263封装，便于自动化生产并具有良好的PCB散热能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±30V，提供了较强的抗干扰能力。器件的最大允许结温（Tj）为150°C，在壳温条件下最大功率耗散可达357W，这得益于封装内部高效的导热路径设计。用户可以通过官方AOS代理获取完整的技术资料与设计支持。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，AOB29S50L非常适用于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、不间断电源（UPS）的逆变和整流模块、以及电机驱动和照明镇流器中的功率开关。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也使其能够胜任汽车电子、户外通信设备等环境条件多变的领域。

• 制造商产品型号：AOB29S50L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 29A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1312pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB29S50L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。