

AOT5B60D技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3
- 技术参数:IGBT 600V 10A 82.4W TO220
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AOT5B60D技术参数详情说明:
作为Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) Alpha IGBT系列中的一员,AOT5B60D是一款采用TO-220-3封装的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件集成了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管(BJT)的低导通压降优势,其核心架构旨在实现高压、中功率应用中的高效开关与功率处理。其集电极-发射极击穿电压高达600V,最大集电极电流为23A,脉冲电流能力达20A,为系统提供了坚实的耐压与过流基础。
在功能表现上,AOT5B60D展现了优异的导通特性,在15V栅极驱动电压、5A集电极电流条件下,其饱和压降Vce(on)典型值仅为1.8V,这直接降低了导通状态下的功率损耗。其开关性能经过优化,总开关能量(Eon+Eoff)较低,开通过程中的开关能量为140J,关断能量为40J,配合12ns(典型)的开通延迟与83ns(典型)的关断延迟,使其能够胜任较高频率的开关操作。此外,其栅极电荷仅为9.4nC,有助于简化栅极驱动电路的设计并降低驱动功耗。
该器件的接口与热参数设计兼顾了可靠性与易用性。标准的输入类型使其与常见的栅极驱动IC兼容。其最大功耗为82.4W,结合TO-220封装良好的散热特性,确保了在严苛环境下的稳定运行。工作结温范围宽达-55°C至175°C,使其能够适应工业、汽车等领域的温度波动。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理获取完整的规格书、样品及设计资源。
基于其600V/10A的额定规格与平衡的性能参数,AOT5B60D非常适合应用于各类中功率变频与电源转换场景。典型应用包括电机驱动(如变频器、伺服驱动器)、不同断电源(UPS)、开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)及逆变级,以及电焊机、感应加热等工业设备。其通孔安装形式也便于在原型验证及成熟产品中进行可靠的焊接与散热处理。
- 制造商产品型号:AOT5B60D
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:IGBT 600V 10A 82.4W TO220
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Alpha IGBT
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):23A
- 电流-集电极脉冲(Icm):20A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,5A
- 功率-最大值:82.4W
- 开关能量:140J(开),40J(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:9.4nC
- 25°C时Td(开/关)值:12ns/83ns
- 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):98ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-220-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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