AOT5N50技术参数

AOT5N50是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面型MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡，内部结构优化了单元密度与沟道设计，确保了在高压工作条件下依然能提供稳定可靠的开关性能。该器件基于硅基工艺，通过精心的布局降低了寄生电容，为高效的能量转换奠定了基础。

该器件具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达500V，使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等应用中的高压应力。在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，在2.5A电流条件下最大为1.5欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为19nC，结合620pF的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，提升高频开关性能。

在接口与参数方面，AOT5N50的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。其连续漏极电流(Id)在壳温(Tc)条件下额定为5A，最大结温(Tj)可达150°C，采用TO-220封装时最大功耗为104W，展现了良好的热性能。这些参数共同定义了其稳健的工作边界，用户可以通过AOS总代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借500V的高耐压、5A的电流能力以及优化的开关特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、照明镇流器以及通用逆变器和电机控制模块。其TO-220封装形式便于安装散热器，满足中功率应用对散热的需求，是工程师在设计和升级相关电力电子设备时，追求可靠性、效率与成本效益的优选功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOT5N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT5N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。