AOT5N50_001技术参数

AOT5N50_001是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高电压下的可靠开关与功率处理能力。其500V的漏源击穿电压（Vdss）为电路设计提供了宽裕的安全裕度，而5A的连续漏极电流（Id）额定值则确保了其在中等功率等级应用中的适用性。

在电气特性方面，该器件表现出色。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、2.5A电流条件下最大值为1.5欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，结合620pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的损耗，这对于高频开关电源等应用至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则增强了驱动的鲁棒性。

器件的热设计同样可靠，在管壳温度（Tc）条件下最大功率耗散可达104W，结合TO-220封装良好的散热特性，使其能够应对持续的高功率工作状态。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要此类高性能分立功率器件的工程师，可以通过AOS中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

综合其高耐压、中等电流能力、优化的开关特性以及坚固的封装，AOT5N50_001非常适用于需要高效能量转换和可靠功率开关的场合。典型的应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及各类照明镇流器和适配器。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和参数特性仍为理解同类高压MOSFET的应用提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AOT5N50_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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