AOTF2918L技术参数

AOTF2918L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-220F封装，专为高效率功率转换和开关应用而优化。其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和工艺制程，在100V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡。这种平衡对于降低开关损耗和传导损耗至关重要，是提升系统整体效率的关键。

该器件在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）额定值为13A，而在管壳温度（Tc）条件下可达58A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压（Vgs）、20A测试电流下最大值仅为7毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，最大栅极电荷为53nC @ 10V，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的安全工作裕度。功率耗散能力在Tc条件下高达41W，结合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应严苛的热环境。

在接口与参数方面，AOTF2918L采用标准的TO-220F（TO-220-3F）通孔封装，便于安装和散热管理。其输入电容（Ciss）最大值为3430pF @ 50V，开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V @ 250A，这些参数为驱动器的选型和开关特性的预测提供了明确依据。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在存量市场及特定设计中仍有参考价值，用户可通过AOS中国代理咨询库存或替代方案信息。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，此MOSFET非常适用于需要高效功率处理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业电源中的功率开关部分。其TO-220F封装形式也常见于对散热和功率密度有要求的通孔安装设计中。

• 制造商产品型号：AOTF2918L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 13A/58A TO220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3430pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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