AOTF7T60P技术参数

AOTF7T60P 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面硅工艺制造，封装于标准的 TO-220-3F 通孔封装中。该器件设计用于处理高达 600V 的漏源电压（Vdss），并在壳温（Tc）条件下提供 7A 的连续漏极电流。其核心架构基于稳健的 MOSFET 技术，旨在实现高压开关应用中的高效率与可靠性，通过优化的单元设计在导通电阻与栅极电荷之间取得了良好平衡。

该 MOSFET 具备多项关键电气特性以支持高性能开关操作。在 10V 栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至 1.1 欧姆（测试条件为 3.5A，10V），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 5V（测试条件为 250A），确保了与常见驱动电路的兼容性。同时，在 10V Vgs 下的最大栅极电荷（Qg）仅为 25nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为 ±30V，提供了充足的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，该器件采用三引脚（TO-220-3F）通孔封装，便于在散热器上安装以实现有效的热管理，其最大功率耗散能力为 38W（Tc）。输入电容（Ciss）在 100V Vds 下最大值为 965pF，是评估开关动态性能的重要参数。工作结温范围宽广，从 -55°C 延伸至 150°C，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS一级代理 获取相关服务与产品信息。

基于其 600V 的耐压能力和 7A 的电流处理能力，AOTF7T60P 非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，其良好的导通电阻与栅极电荷特性有助于实现高功率密度和高效率的系统设计。

• 制造商产品型号：AOTF7T60P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.1 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：965pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF7T60P现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。