AOTF9N50技术参数

AOTF9N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为高压开关应用而优化。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其500V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了充足的电压裕量，确保在交流输入或高压直流母线等严苛环境下稳定工作，同时，其结构设计有效控制了寄生电容，有助于提升开关性能。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的效率潜力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，在4.5A电流条件下最大值仅为850毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在28nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），共同构成了快速开关能力的基础，有助于减少开关过渡过程中的损耗，提升整体电源系统的频率和功率密度。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

该MOSFET的额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为9A，最大功率耗散能力为38.5W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，这些参数使其能够应对持续的功率处理需求。TO-220-3F封装提供了优异的通孔安装机械强度和热性能，便于通过散热器进行高效的热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取正品器件与技术资料。

综合其高压、低导通电阻和快速开关特性，AOTF9N50非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及高压DC-DC转换器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统效率与可靠性，是工程师设计高性能、高密度功率解决方案时的有力选择。

• 制造商产品型号：AOTF9N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1042pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF9N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。