AOTS21313C技术参数

AOTS21313C是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的6-TSOP表面贴装封装，在硅片设计和工艺优化上实现了低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其核心架构基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，通过精密的单元结构设计，有效降低了沟道电阻和结电容，从而在开关应用中能够实现更快的响应速度和更低的导通损耗。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达7.3A的连续漏极电流，为负载开关和电源路径管理应用提供了充足的余量。其导通电阻表现优异，在10V栅源驱动电压和7.3A漏极电流条件下，典型值仅为32毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压兼容性良好，便于由微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在动态性能方面，AOTS21313C的栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为33nC，输入电容（Ciss）在15V条件下最大值为1100pF，这些参数共同决定了其快速的开关特性，有助于降低开关过程中的功率损耗。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了较强的栅极可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2.7W（Ta），确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS代理获取完整的技术资料和采购支持。

凭借其性能组合，该器件非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路，也适用于低压电机驱动、电源分配模块以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业控制产品中。

• 制造商产品型号：AOTS21313C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 7.3A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 7.3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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