AOB4184技术参数

AOB4184是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，在紧凑的物理尺寸内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

该芯片的核心优势在于其卓越的导通电阻特性。在10V栅极驱动电压、20A漏极电流的条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为10毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下仅为35nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化了电路设计并优化了开关性能。

在电气参数方面，AOB4184的漏源击穿电压（Vdss）为40V，提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下高达50A，在环境温度（Ta）下为12A，展现出强大的电流处理能力。驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现良好的导通特性，且栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，增强了应用的鲁棒性。其最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达50W，配合DPak封装优异的散热能力，使其能够稳定处理高功率负载。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与相关服务。

基于40V的耐压、高达50A的电流能力以及优异的开关特性，AOB4184非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关管、电机驱动控制电路、锂电池保护与充放电管理模块，以及各类工业电源和车载电子设备中的功率开关单元。其稳健的设计使其成为追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AOB4184
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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