AOW12N50技术参数

AOW12N50是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-262通孔封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。该器件采用N沟道增强型模式，其栅极由二氧化硅绝缘层隔离，确保了电压驱动的可靠性与稳定性，同时其设计着重于优化内部寄生电容，以提升开关性能。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级应用中的电压应力和开关浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达12A，结合低至520毫欧（典型值@10V Vgs, 6A Id）的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限，并确保在标准逻辑电平驱动下可靠关断。

在动态特性方面，AOW12N50表现出色。其栅极总电荷（Qg）最大值仅为37nC（@10V），较低的Qg值直接转化为更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。同时，其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大值为1633pF，合理的电容参数有助于简化驱动电路设计并抑制开关振荡。该器件在壳温下的最大功率耗散能力为250W，宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高耐压、大电流能力和优异的开关特性，AOW12N50非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等。其TO-262封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在功率板上进行安装和热管理。

• 型号:AOW12N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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