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AO4620技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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AO4620技术参数详情说明:

AO4620是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用8-SOIC封装的双MOSFET阵列芯片。该器件在一个紧凑的封装内集成了一个N沟道和一个P沟道增强型功率MOSFET,两者均为逻辑电平门驱动设计。这种互补对管(Complementary Pair)的集成架构,为需要同时控制高低侧开关或实现推挽输出的电路提供了高度集成的解决方案,有效节省了PCB空间并简化了外围电路设计。

作为逻辑电平门器件,AO4620的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.6V,使其能够与3.3V或5V的现代微控制器、数字信号处理器及逻辑芯片直接兼容,无需额外的电平转换电路,显著降低了系统复杂性和成本。其导通电阻(Rds(on))在10V Vgs、7.2A Id条件下典型值仅为24毫欧,这意味着在导通状态下具有极低的功率损耗和压降,有助于提升整体能效并减少发热。同时,较低的栅极电荷(Qg,最大值11nC @ 10V)和输入电容(Ciss,最大值448pF @ 15V)特性,使得开关速度更快,驱动损耗更小,特别适合高频开关应用。

该芯片的漏源击穿电压(Vdss)为30V,适用于常见的12V或24V总线系统。其采用表面贴装型(SMD)8-SOIC封装,宽度为3.90mm,符合工业标准的自动化贴装要求。器件结温(TJ)工作范围宽达-55°C至150°C,确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性,最大功耗为2W。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理商进行采购与咨询。

基于其高性能的互补MOSFET对、逻辑电平兼容性以及优异的开关特性,AO4620非常适合应用于DC-DC同步整流转换器、电机驱动H桥电路、负载开关、电源管理单元(PMU)以及电池保护电路等领域。在便携式设备、计算机外围设备、工业控制和汽车电子等系统中,它都能作为核心功率开关元件,提供高效、紧凑且可靠的解决方案。

  • 制造商产品型号:AO4620
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 7.2A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):448pF @ 15V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AO4620现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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