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AOD476技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-252,(D-Pak)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V 25A TO252
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AOD476技术参数详情说明:

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD476 是一款采用先进MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术的N沟道功率器件。该芯片采用成熟的TO-252(D-Pak)表面贴装封装,在紧凑的物理尺寸内实现了优异的电气性能与热管理能力。其核心架构基于优化的单元设计,旨在降低导通电阻和栅极电荷,从而在开关应用中实现高效率与低损耗的平衡。这种设计使得器件在提供大电流处理能力的同时,保持了快速开关特性,是许多功率转换和电机控制电路中的关键组件。

在功能特性方面,AOD476 的突出优势在于其低导通电阻与高电流承载能力。其漏源电压(Vdss)额定值为20V,在壳温(Tc)条件下可支持高达25A的连续漏极电流。更关键的是,在10V驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)的测试条件下,其导通电阻(Rds(On))最大值仅为21毫欧,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外,其栅极电荷(Qg)最大值在10V Vgs下仅为18nC,较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少,有助于简化驱动设计并提升开关速度,对于高频开关应用尤为重要。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。其栅源电压(Vgs)最大可承受±16V,提供了较宽的安全工作范围。阈值电压(Vgs(th))最大值为2V @ 250A,确保了与常见逻辑电平或PWM控制信号的兼容性。在热性能方面,其结温(TJ)工作范围宽达-55°C至175°C,最大功率耗散在壳温(Tc)条件下可达33.3W,结合TO-252封装良好的热传导路径,能够有效管理功率耗散。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其参数组合,AOD476 非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关,特别是笔记本电脑、服务器主板等设备中的低压、大电流电源模块。此外,它也常被用于电机驱动电路、电池保护板以及各类低压便携式设备的功率管理单元中,作为高效的功率开关元件。其表面贴装形式也适应了现代电子产品自动化生产的需求。

  • 制造商产品型号:AOD476
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 25A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):900pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),33.3W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOD476现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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