AOW29S50技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS产品系列的一员，AOW29S50是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET（金属氧化物）工艺制造，采用TO-262通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的平衡。其内部架构经过优化，提供了稳健的栅极控制特性和较低的寄生电容，这对于提升开关电源等应用中的效率至关重要。

该器件的核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与29A（Tc）的连续漏极电流能力，这使其能够从容应对工业级功率转换中的高压应力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，在14.5A电流条件下最大值仅为150毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在26.6nC @ 10V，结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它既具备较快的开关速度潜力，又拥有良好的栅极驱动鲁棒性，有助于简化驱动电路设计。

在接口与参数层面，AOW29S50的阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器配合。其输入电容（Ciss）在100V偏压下最大为1312pF，是评估开关动态性能的重要参数。器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散高达357W，结合其宽广的结温工作范围（-55°C ~ 150°C TJ），确保了在苛刻环境下的可靠运行与散热设计裕量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品。

凭借上述特性，这款MOSFET非常适用于要求高可靠性和高效率的离线式开关电源（SMPS）功率级，如PFC（功率因数校正）电路、半桥/全桥拓扑中的开关管，以及电机驱动、不间断电源（UPS）和工业照明中的功率开关应用。其TO-262封装提供了良好的机械强度和散热能力，适合通过散热器进行强制冷却，满足中高功率密度设计的需要。

• 制造商产品型号：AOW29S50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 29A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1312pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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