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AOZ8318DI技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:TVS - 二极管,封装:10-UFDFN
  • 技术参数:TVS DIODE 2.5V 5V 10DFN
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AOZ8318DI技术参数详情说明:

AOZ8318DI是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计制造的高性能、多通道瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用先进的半导体工艺和紧凑的10-UFDFN封装,其核心架构集成了四个独立的单向TVS通道,采用轨至轨转向装置设计,能够为多路数据线或电源线提供高效的箝位保护。其设计旨在精确响应快速上升的瞬态电压事件,例如静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT),将过压能量迅速分流至地,从而保护下游敏感的集成电路免受损坏。

该器件的一个关键特性是其极低的箝位电压与电容组合。在承受高达25A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,其最大箝位电压被严格控制在5V,这为现代低电压逻辑电路(如1.8V, 2.5V, 3.3V)提供了充足的安全裕度。同时,在1MHz频率下,其通道电容典型值仅为3pF,这一特性对于高速数据接口的信号完整性至关重要,能最大程度地减少对数据传输速率和波形质量的负面影响,使其成为高速通信线路保护的理想选择。

在电气参数方面,AOZ8318DI的反向断态电压典型值为2.5V,最小击穿电压为2.8V,确保了在正常工作时对信号线的透明性。其峰值脉冲功率处理能力达到350W,展现了强大的浪涌吸收能力。器件支持-40°C至125°C的宽结温范围,并采用表面贴装形式,能够适应严苛的工业与通信环境要求,确保在各种应用条件下稳定可靠地工作。

基于其优异的性能,AOZ8318DI主要面向需要高可靠性端口保护的通信与网络设备。其典型应用场景包括以太网端口(如10/100/1000BASE-T PHY芯片的防护)、电信设备接口、交换机、路由器以及任何采用低电压差分信号(LVDS)或高速串行接口的系统。对于需要批量采购和本地技术支持的客户,可以通过官方指定的AOS中国代理获取产品、数据手册以及详细的设计支持服务。

  • 制造商产品型号:AOZ8318DI
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:TVS DIODE 2.5V 5V 10DFN
  • 系列:TVS - 二极管
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:4
  • 双向通道:-
  • 电压-反向断态(典型值):2.5V(最大)
  • 电压-击穿(最小值):2.8V
  • 不同Ipp时电压-箝位(最大值):5V
  • 电流-峰值脉冲(10/1000s):25A(8/20s)
  • 功率-峰值脉冲:350W
  • 电源线路保护:是
  • 应用:以太网,电信
  • 不同频率时电容:3pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:10-UFDFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOZ8318DI现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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