AOWF11N60技术参数

AOWF11N60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-262F（IPAK）通孔封装中。该器件设计用于在高压开关应用中提供高效、可靠的性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在高压环境下的稳健运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为11A，结合仅650mΩ（典型值，在10V Vgs和5.5A Id条件下）的低导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率耗散，提升功率密度。其栅极驱动特性经过精心设计，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，最大栅极电荷（Qg）仅为37nC（在10V Vgs下），这有助于简化驱动电路设计，实现快速开关并降低驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AOWF11N60支持高达±30V的栅源电压（Vgs），提供了宽裕的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为1990pF，与低Qg特性协同工作，优化了开关动态性能。器件最大功率耗散为27.8W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，AOWF11N60非常适合应用于各类离线电源转换和电机控制场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器。其TO-262F封装提供了良好的散热性能和通孔安装的机械强度，是要求高功率处理能力和长期稳定性的工业级及消费电子产品的理想选择。

• 制造商产品型号：AOWF11N60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1990pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：27.8W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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