AOWF11S60技术参数

AOWF11S60是一款采用TO-262F封装、基于N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的aMOS产品系列，其核心设计旨在实现高压环境下的高效能功率转换与控制。其结构采用了先进的平面MOSFET工艺，优化了单元密度与导通电阻的平衡，从而在600V的高压等级下，依然能提供出色的电流处理能力与开关性能。

该器件在25°C壳温条件下，连续漏极电流额定值可达11A，展现了其稳健的载流能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、3.8A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为399毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在11nC（@10V），结合545pF（@100V）的输入电容，意味着快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关频率并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，AOWF11S60具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达±30V的栅源电压耐受能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。其最大功率耗散为28W（Tc），通孔安装形式（TO-262F）提供了良好的机械强度和散热路径。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品的详细信息与采购支持。

凭借600V的漏源击穿电压和优异的动态特性，这款MOSFET非常适用于需要高压开关和高效能表现的场合。其典型应用领域包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器模块、不间断电源（UPS）系统以及各类照明设备的电子镇流器。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体能效和功率密度，满足现代电力电子系统对高性能与高可靠性的双重需求。

• 型号:AOWF11S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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