AOWF9N70技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)推出的AOWF9N70是一款采用TO-262F封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高压环境下的高效功率切换与可靠运行。其结构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）之间的平衡，确保了在承受高达700V漏源电压（Vdss）的同时，仍能维持较低的传导损耗。

在电气特性方面，700V的额定击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等应用中的电压应力与开关尖峰。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为9A，结合低至1.2欧姆（典型值@10V Vgs, 4.5A Id）的导通电阻，有效降低了功率耗散，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了充足的驱动裕量与抗干扰能力。

该器件的动态特性同样出色。栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC @ 10V，配合1630pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于高频开关电源提升效率至关重要。其最大结温（Tj）可达150°C，采用通孔安装的TO-262F封装提供了优良的散热路径，在Tc条件下最大功率耗散为28W，确保了在严苛热环境下的长期工作稳定性。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品。

凭借其高压、低导通电阻与快速开关的均衡性能，AOWF9N70非常适用于离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动以及照明镇流器等领域的功率开关与整流应用。其稳健的设计和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也使其成为工业控制与新能源系统中要求高可靠性的理想选择。

• 制造商产品型号：AOWF9N70
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF9N70现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。