AOY528技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款功率MOSFET，AOY528采用N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心架构基于成熟的平面工艺，旨在提供高效的功率开关性能。该器件设计用于在中等电压下处理高电流，其结构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在开关应用中实现较低的传导损耗和开关损耗。

该器件在25°C环境温度下连续漏极电流额定值为17A，而在管壳温度下可高达50A，展现了其强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源电压和20A漏极电流条件下，最大导通电阻仅为5.4毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压最大值为2.4V，配合4.5V至10V的典型驱动电压范围，使其能够与多种逻辑电平控制器兼容，易于驱动。栅极电荷最大值控制在18nC，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。

在电气参数方面，AOY528的漏源击穿电压额定为30V，适用于常见的24V及以下总线系统。其栅源电压最大可承受±20V，提供了良好的栅极可靠性裕度。输入电容在15V漏源电压下最大为1400pF，这一参数与栅极电荷共同决定了开关速度。器件采用通孔安装的TO-251B封装，这种封装具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散在环境温度下为2.5W，在管壳温度下可达50W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商进行采购与咨询。

凭借其性能组合，该器件非常适合需要高效率和高可靠性的功率管理应用。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类电源系统中的负载开关。其优异的导通电阻和开关特性使其在空间受限且对热管理有要求的设计中成为理想选择，尤其适用于消费电子、工业自动化及通信设备等领域的功率转换模块。

• 制造商产品型号：AOY528
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 17A/50A TO251B
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251B
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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