AON7460技术参数

AON7460是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装型封装中。该器件专为在高压、高效率的开关应用中实现优异的电气性能和热管理而设计，其核心架构基于优化的单元结构和工艺，旨在平衡导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数，从而在系统层面降低损耗并提升可靠性。

该MOSFET具备300V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的高压阻断能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和1.2A漏极电流条件下最大值为830毫欧，这一特性确保了在导通状态下的低功耗。同时，器件拥有极低的栅极电荷（Qg），典型值在10V Vgs下仅为8.2nC，这显著降低了驱动电路的开关损耗，有利于提升高频开关应用的效率。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。

在电气参数方面，AON7460在25°C环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）为1.2A，而在管壳温度（Tc）条件下可高达4A，展现了其出色的电流承载潜力。其最大功率耗散在Tc条件下可达33W，结合低热阻的DFN封装，有效保障了器件在高功率密度应用中的散热性能。输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为380pF，与低Qg特性协同，共同优化了开关动态性能。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的AOS代理商获取该产品及相关技术支持。

凭借其高压、低导通损耗和快速开关的特性，AON7460非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括AC-DC开关电源的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、电机控制辅助电源以及各类离线式变换器。其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）和可靠的封装形式，也使其能够适应工业、消费电子及汽车电子等领域的严苛环境要求。

• 制造商产品型号：AON7460
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 300V 1.2A/4A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：300V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.2A（Ta），4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：830 毫欧 @ 1.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：380pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），33W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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