AOZ8035DIL技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：EMI-RFI 滤波器（LC，RC 网络），封装：12-UFDFN
技术参数：FILTER RC(PI) 100 OHM/28PF SMD
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AOZ8035DIL技术参数详情说明：

AOZ8035DIL是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款集成式RC（Pi型）低通滤波器，采用先进的表面贴装技术，封装于紧凑的12-UFDFN封装内，尺寸仅为2.50mm x 1.20mm。该器件基于二阶RC滤波架构，内部集成了六个独立的滤波通道，每个通道均由100欧姆电阻和28pF电容构成的经典Pi型网络组成，旨在为高频噪声提供一条可控的衰减路径。其核心设计理念是在极小的占板面积内，为高速数据线路提供有效的电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）抑制能力，同时最大限度地保持信号完整性。

该滤波器的一个突出特性是其优异的频率选择性，其截止频率设计在90MHz，能够有效滤除高于此频率的噪声，而对正常工作频段内的信号影响极小。在800MHz至2.2GHz的高频范围内，它能提供高达-35dB的衰减值，这对于抑制移动通信频段（如GSM、3G/4G乃至部分5G频段）的噪声耦合至关重要。此外，器件集成了ESD保护功能，增强了其在易受静电放电影响环境中的可靠性，其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，额定电压为5V，单通道最大持续电流为20mA，确保了在严苛应用条件下的稳定表现。

在接口与参数方面，AOZ8035DIL采用标准的表面贴装接口，便于自动化生产。其紧凑的封装和卷带（TR）包装形式非常适合高密度PCB布局和大规模制造。虽然该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍具有重要的参考价值，工程师在选型或进行库存管理时，可通过AOS授权代理咨询替代方案或获取历史技术资料。

该器件的主要应用场景聚焦于空间受限的便携式与移动设备，特别是智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中的数据线路（如USB、MIPI、摄像头接口、显示接口等）的EMI滤波。通过将高频噪声在源头或传输路径上进行衰减，它能有效降低设备内部的电磁辐射，并提升其对来自外部射频干扰的抗扰度，从而帮助终端产品满足日益严格的电磁兼容性（EMC）法规要求，是设计高可靠性、高性能消费类电子产品的关键被动元件之一。