AOD4136L技术参数

AOD4136L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装。该器件属于AOS的SDMOS产品系列，旨在为中等功率开关应用提供高效的解决方案。其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，通过优化单元设计和工艺制程，在紧凑的封装内实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为25V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达25A，展现出较强的电流处理能力。其关键性能参数包括极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为11毫欧（在20A，10V Vgs条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.8nC（@10V），结合734pF的输入电容（Ciss @12.5V），意味着器件所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的损耗。

在接口与参数方面，AOD4136L的栅源驱动电压（Vgs）范围为±20V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，标准逻辑电平即可有效驱动，兼容性良好。其最大功耗在环境温度（Ta）下为2.1W，在壳温（Tc）下可达30W，工作结温（Tj）范围宽达-55°C至175°C，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与相关服务。

凭借其参数特性，该器件非常适合应用于需要高效率电源转换和功率管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其TO-252封装提供了良好的散热性能和便于自动化生产的表面贴装工艺，使其成为空间受限且对热管理有要求的消费电子、工业控制和计算机周边设备等领域的理想选择。

• 型号:AOD4136L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 25A TO252-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:734 pF @ 12.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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