AOD4136L技术参数

AOD4136L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装。该器件属于AOS的SDMOS产品系列，旨在为中等功率开关应用提供高效的解决方案。其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，通过优化单元设计和工艺制程，在紧凑的封装内实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为25V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达25A，展现出较强的电流处理能力。其关键性能参数包括极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为11毫欧（在20A，10V Vgs条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.8nC（@10V），结合734pF的输入电容（Ciss @12.5V），意味着器件所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的损耗。

在接口与参数方面，AOD4136L的栅源驱动电压（Vgs）范围为±20V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，标准逻辑电平即可有效驱动，兼容性良好。其最大功耗在环境温度（Ta）下为2.1W，在壳温（Tc）下可达30W，工作结温（Tj）范围宽达-55°C至175°C，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与相关服务。

凭借其参数特性，该器件非常适合应用于需要高效率电源转换和功率管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其TO-252封装提供了良好的散热性能和便于自动化生产的表面贴装工艺，使其成为空间受限且对热管理有要求的消费电子、工业控制和计算机周边设备等领域的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD4136L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 25A TO252-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：734pF @ 12.5V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD4136L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。