

AOZ8312DI技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:TVS - 二极管,封装:12-UFDFN
- 技术参数:TVS DIODE 2.5V 9V 12DFN
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AOZ8312DI技术参数详情说明:
AOZ8312DI是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计制造的单向、多通道瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用紧凑的12引脚UFDFN封装。该器件内部集成了五个独立的单向TVS保护单元,采用轨至轨配置,能够为多条数据线或电源线提供高效的ESD(静电放电)和浪涌保护。其核心架构基于优化的半导体工艺,在极低电容与高浪涌处理能力之间取得了出色平衡,确保在保护敏感电路的同时,对高速信号完整性的影响降至最低。
该芯片的关键特性在于其卓越的电气性能。2.5V的反向断态电压使其非常适合保护工作电压在2.5V或以下的低压数字接口,如USB、HDMI、DisplayPort或GPIO。当遭遇瞬态过压事件时,其击穿电压低至2.8V(最小值),并能迅速响应,将威胁性电压箝位在最高9V的水平,从而有效隔离后续电路。其峰值脉冲电流处理能力高达18A(8/20s波形),对应的峰值脉冲功率达到160W,为接口提供了坚实的保护屏障。此外,每个通道在1MHz频率下的典型电容值仅为2.3pF,这一超低电容特性对于保护高速数据传输线路至关重要,能最大限度地减少信号衰减和失真。
在接口与参数方面,AOZ8312DI设计为表面贴装型,便于自动化生产。其工作结温范围宽达-40°C至125°C,确保了在严苛工业或汽车环境下的可靠性。该器件被明确标注适用于电源线路保护,其通用型设计使其能够灵活部署于各种需要过压保护的场景。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。
基于上述特性,AOZ8312DI的应用场景非常广泛。它主要用于保护便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)的I/O端口,防止因人体静电放电或感应浪涌造成的损坏。在通信设备、消费电子以及工业控制系统中,它能为低压微处理器、传感器和存储器的接口提供可靠的保护方案。其通用性、高浪涌承受能力和低电容的完美结合,使其成为现代电子设备中不可或缺的电路保护元件。
- 制造商产品型号:AOZ8312DI
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:TVS DIODE 2.5V 9V 12DFN
- 系列:TVS - 二极管
- 产品系列:-
- 零件状态:最後
- 类型:转向装置(轨至轨)
- 单向通道:5
- 双向通道:-
- 电压-反向断态(典型值):2.5V(最大)
- 电压-击穿(最小值):2.8V
- 不同Ipp时电压-箝位(最大值):9V
- 电流-峰值脉冲(10/1000s):18A(8/20s)
- 功率-峰值脉冲:160W
- 电源线路保护:是
- 应用:通用
- 不同频率时电容:2.3pF @ 1MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-UFDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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