AOTF13N50技术参数

AOTF13N50是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-220-3F封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其内部结构经过优化，通过精细的单元设计和先进的工艺控制，确保了在高达500V的漏源电压（Vdss）下，依然能提供稳定可靠的阻断能力，同时将导通电阻（Rds(on)）控制在较低水平。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻在10V驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为510毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。栅极电荷（Qg）最大值仅为37nC，结合适中的输入电容，意味着开关过程中的驱动损耗较低，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了在复杂工况下的稳定开启与关断。

在接口与参数方面，AOTF13N50标称连续漏极电流（Id）为13A（基于壳温Tc），最大功率耗散能力为50W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温域下的鲁棒性。标准的TO-220-3F通孔封装不仅提供了良好的机械强度和散热路径，也便于在各类电源板和功率模块中进行安装与热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取原厂正品和技术支持。

凭借500V的高耐压、13A的电流能力以及优异的开关特性，该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器中的主开关或同步整流、电机驱动控制以及不同断电源（UPS）和逆变器等工业与消费类功率电子应用场景。其设计在性能、成本与可靠性之间取得了良好的折衷，是工程师进行高压功率电路设计的优选之一。

• 制造商产品型号：AOTF13N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：510 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1633pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF13N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。