AOD2816技术参数

AOD2816是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率器件，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构基于先进的MOSFET工艺，实现了低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的平衡，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为8.5A，而在管壳温度（Tc）条件下可达35A，确保了在严苛热环境下的稳定工作潜力。

该器件具备80V的漏源击穿电压（Vdss），为开关应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。其关键性能参数突出，在10V栅源驱动电压（Vgs）、20A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至15毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC @ 10V，结合1109pF @ 40V的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，有助于减小外围磁性元件的尺寸。

在接口与参数方面，AOD2816的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V @ 250A，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或驱动IC直接控制。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极噪声能力。器件的功率耗散能力在环境温度（Ta）下为2.5W，在管壳温度（Tc）下高达53.5W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），展现了出色的热性能和鲁棒性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的电气特性与热性能，AOD2816非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源适配器和工业电源。其TO-252封装兼顾了功率处理能力与PCB占板面积，是空间受限但性能要求不妥协的设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD2816
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 8.5A/35A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1109pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），53.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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