AO3481技术参数

AO3481是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡。其核心设计旨在提供高效的功率开关控制，内部结构优化了载流子迁移路径，从而在给定的芯片尺寸下实现了较低的导通电阻。

该MOSFET的关键特性在于其低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的结合。在10V的栅源驱动电压（Vgs）下，其导通电阻典型值低至50毫欧（在4A电流条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.3V，配合较低的栅极总电荷（Qg，最大值20nC @ 10V），使得器件能够被快速驱动，开关速度快，有助于降低开关过程中的功率损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，AO3481的额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达4A。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±12V，提供了可靠的栅极保护。器件的功率耗散能力为1.4W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。较低的输入电容（Ciss，最大值645pF @ 15V）进一步减少了驱动电路的负担。

凭借其性能组合，该器件非常适合用于需要高效电源管理和负载开关的场合。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电池供电设备的负载切换、电机驱动控制电路以及便携式设备中的电源路径管理。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取相关技术支持和产品信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

• 型号:AO3481
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:645 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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