AON7296技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（3x3）
技术参数：MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN
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AON7296技术参数详情说明：

AON7296是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装型封装中。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高电压下的高效开关与低损耗。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为电路提供了宽裕的安全工作裕度，而N沟道设计则使其非常适合作为负载开关或同步整流应用中的高端或低端开关管。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通电阻与栅极电荷特性上。在10V栅极驱动电压（Vgs）和5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至66毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为12nC，结合415pF（@50V）的输入电容，意味着该器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源的开关频率并简化栅极驱动电路的设计。高达12.5A（Tc）的连续漏极电流能力与20.8W（Tc）的最大功耗，使其能够处理可观的功率等级，而-55°C至150°C的宽结温工作范围确保了其在严苛环境下的可靠性。

在电气接口与参数方面，AON7296的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，同时其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。其最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了应用的鲁棒性。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

凭借其高电压、低导通电阻、快速开关以及紧凑封装的特点，AON7296非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。它在服务器电源、通信设备、工业自动化以及便携式电子产品的功率系统中，都能作为关键元件发挥重要作用，有效提升整机功率密度和能效表现。