AO4264技术参数

AO4264是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-SO表面贴装型封装中。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的单元结构和工艺制程，在单位面积内实现了较低的导通电阻与良好的开关特性平衡，为高效功率转换提供了硬件基础。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（在12A，25°C条件下），这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，并与4.5V至10V的标准驱动电压范围良好兼容，确保了在逻辑电平或标准PWM信号下的可靠开启与关断。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为40nC，结合2007pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，AO4264具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量以应对线路中的电压尖峰。其连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下额定值为12A，峰值电流处理能力更强。器件支持±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。最大功耗为3.1W（Ta），结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。如需获取最新的供货与技术支持信息，建议联系官方授权的AOS代理。

凭借其性能组合，AO4264非常适合应用于对效率和功率密度有要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中。其表面贴装封装形式也契合了现代电子设备向小型化、高集成度发展的趋势，是工程师在设计中实现高效功率切换的可靠选择之一。

• 制造商产品型号：AO4264
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2007pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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