AON7506技术参数

AON7506 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的平面 MOSFET 技术制造，集成于紧凑的 8-DFN（3x3）封装中，实现了高功率密度与卓越电气性能的平衡。其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗，通过精心的芯片布局和封装工艺，有效降低了寄生参数，为高效率电源转换和功率管理应用提供了可靠的半导体解决方案。

该 MOSFET 具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为 30V，适用于常见的 12V 或 24V 总线系统。在导通特性方面，当栅源驱动电压（Vgs）为 10V 时，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至 9.8 毫欧（在 12A 条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为 12.2nC（@10V），结合 542pF 的输入电容（Ciss @15V），意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于实现高速开关并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与可靠性参数上，AON7506 展现了宽泛的工作适应性。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达 12A，确保了强大的电流处理能力。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为 ±20V，提供了充足的驱动裕量。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大为 2.3V，与标准逻辑电平兼容性好。该器件的工作结温（Tj）范围覆盖 -55°C 至 150°C，并采用表面贴装型封装，功率耗散能力在特定条件下可达 20.5W（Tc），保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品、技术资料与设计服务。

基于其优异的性能组合，AON7506 非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。其主要应用领域包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护与充放电管理模块，以及各类负载开关和电源分配单元。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体能效，而紧凑的 DFN 封装则有利于实现高功率密度的 PCB 设计。

• 型号:AON7506
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:542 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），20.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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