AO4294技术参数

AO4294 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面 MOSFET 技术制造，封装于紧凑的 8-SO 表面贴装外形中。该器件专为高效功率转换和开关应用而设计，其核心架构基于优化的单元结构和沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，从而在降低传导损耗的同时，有效控制开关损耗。

该 MOSFET 具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达 100V，使其能够稳定工作在多种中压应用环境中。在 25°C 环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值为 11.5A，提供了可观的电流处理能力。一个关键的性能指标是其低导通电阻（Rds(on)），在栅源电压（Vgs）为 10V、漏极电流为 11.5A 的条件下，典型值仅为 12 毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.4V，且标准逻辑电平驱动电压（4.5V-10V）即可实现完全导通，方便与主流微控制器或驱动 IC 直接接口，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，AO4294 的栅极总电荷（Qg）在 Vgs=10V 时最大为 50nC，结合 2420pF（典型值）的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度，有助于提升高频开关电源的工作频率。器件允许的栅源电压范围为 ±20V，提供了足够的驱动安全裕量。其结温工作范围宽广，从 -55°C 到 150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及相关设计资源。

凭借 100V 的耐压、11.5A 的电流能力以及优异的 Rds(on) 表现，AO4294 非常适合用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类电源系统中的负载开关。其表面贴装封装形式也使其能很好地适应现代高密度 PCB 布局的需求。

• 型号:AO4294
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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