AONS66923技术参数

AONS66923是一款采用先进AlphaSGT技术平台开发的N沟道功率MOSFET，其设计旨在为高效率、高功率密度的应用提供卓越的开关性能与可靠性。该器件采用优化的单元结构和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而在开关损耗和导通损耗之间实现了出色的平衡，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了宽裕的电压设计余量，确保在诸如48V总线等应用中的稳定运行。其导通电阻在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为10.8mΩ，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷（Q_g）低至35nC，结合2.6V（最大值）的低栅极阈值电压（V_GS(th)），意味着它能够被快速驱动，显著降低开关过程中的交叠损耗，尤其适合高频开关应用。

在封装与热管理方面，AONS66923采用紧凑的8引脚DFN-EP（5mm x 6mm）表面贴装封装，内部集成裸露焊盘（Exposed Pad），极大地优化了热传导路径。这使得器件在25°C环境温度下可持续承受15A的漏极电流，而在借助PCB有效散热的情况下，壳温（T_C）下的连续电流能力可高达47A，最大功耗达到48W。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

综合其电气参数与物理特性，AONS66923非常适用于对效率和空间均有高要求的场景。它常见于服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率转换级、工业电源模块、电机驱动控制电路以及各类高效能电池管理系统中。其优异的性能组合使其成为工程师在设计下一代高密度、高效率电源解决方案时的理想功率开关选择。

• 制造商产品型号：AONS66923
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A (Ta)，47A (Tc)
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1725pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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