AO4484_101技术参数

AO4484_101 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET 器件。该器件采用成熟的平面型 MOSFET 技术，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其内部结构集成了低栅极电荷的栅极设计，有助于降低开关损耗，同时坚固的体二极管为感性负载开关提供了可靠的反向恢复路径。

该 MOSFET 具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为 40V，适用于常见的 12V 至 24V 总线系统。在 25°C 环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达 10A，展现出较强的电流处理能力。其导通性能尤为突出，在驱动电压 Vgs 为 10V、漏极电流 Id 为 10A 的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至 10 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性方面，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 3V，确保了与标准逻辑电平或微控制器 GPIO 的良好兼容性；同时，在 Vgs=10V 时，最大栅极电荷（Qg）仅为 37nC，较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，并有助于实现更高的开关频率。

器件的封装形式为行业标准的 8-SOIC 表面贴装封装，便于自动化生产并节省 PCB 空间。其工作结温范围宽广，从 -55°C 到 150°C，使其能够适应严苛的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现依然具有参考价值。对于需要获取 AOS 公司最新替代产品或技术支持的用户，可以联系官方授权的 AOS总代理。

基于其 40V/10A 的耐压与载流能力以及优异的导通电阻表现，AO4484_101 非常适合于中低功率的 DC-DC 转换器、电机驱动控制、电源管理模块中的负载开关等应用场景。例如，在同步整流拓扑中，其低 Rds(on) 特性可有效提升转换效率；在电机 H 桥驱动电路中，其快速的开关速度和稳健的体二极管有助于实现精确的 PWM 控制和能量回馈管理。

• 制造商产品型号：AO4484_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1950pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO4484_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。