AONR21357技术参数

AONR21357是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装型封装中。该器件专为需要高效率、低损耗的功率开关应用而设计，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在小型封装内承载大电流的能力。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=20A的条件下典型值低至7.8毫欧，这一关键特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为70nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得高频开关操作成为可能，并简化了栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，AONR21357在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）额定值为21A，而在管壳温度（Tc）条件下可达34A，展现了出色的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，驱动电压范围宽，兼容标准的逻辑电平驱动。器件支持±25V的最大栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其功率耗散能力在管壳温度（Tc）下高达30W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要本地技术支持和供货保障的设计团队，可以通过AOS中国代理获取详细的技术资料和供应链服务。

基于其优异的性能组合，AONR21357非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关和电源路径管理，笔记本电脑和平板电脑的电池保护与功率分配，以及各类DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其紧凑的DFN封装和低热阻特性也使其成为便携式设备、电机驱动控制和低压大电流电源模块的理想选择。

• 型号:AONR21357
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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