AO4486技术参数

AO4486是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。该芯片采用标准8-SOIC表面贴装封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，为中等功率开关应用提供了一个高效可靠的解决方案。

作为一款100V耐压的器件，AO4486在25°C环境温度下能够持续通过高达4.2A的漏极电流，其最大功耗为3.1W。其导通电阻特性表现突出，在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为79毫欧，这直接关系到开关状态下的导通损耗，对于提升系统整体效率至关重要。其栅极阈值电压最大值为2.7V，而推荐的驱动电压范围在4.5V至10V之间，这使其能够兼容广泛的逻辑电平与模拟驱动电路，易于设计集成。

在动态特性方面，AO4486的栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs条件下为20nC，输入电容（Ciss）最大值在50V Vds条件下为942pF。这些参数共同决定了器件的开关速度与驱动电路的功率需求，较低的Qg值有助于实现更快的开关频率并降低驱动损耗。器件栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的技术支持和供货信息。

基于其100V的漏源电压和4.2A的电流能力，AO4486非常适用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护板以及各类电源管理模块。其SOIC封装形式兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是空间受限的中功率应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AO4486
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：79 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：942pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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